F-центр

Cтраница 2

Примером могут служить F-центры галогенидов щелочных металлов, представляющие собой электрон, связанный с анионной вакансией. Наблюдаемый тип резонанса и в особенности сверхтонкая структура вследствие взаимодействия с ядрами соседей, ширина и форма линий и отличие - фактора от его значения для свободного электрона - все эти параметры непосредственно определяются симметрией и смещением соседних частиц. F-центров и, следовательно, о вакансиях в галогенидах щелочных металлов: параметры резонансной линии свидетельствуют об отсутствии какой-либо симметрии и о наличии одиночной вакансии, испытавшей релаксацию. В некоторых случаях метод позволяет оценить степень и направление релаксации. Примером могут служить недавние исследования электронно-спинового резонанса в кремнии [62], в результате которых сделано предположение, что в области вакансии происходит анизотропная релаксация внутрь четырех соседних частиц. [16]

Существует также аналог F-центра, образующийся при избытке, например, в NaCl атомов хлора. Если какой-либо из щелочно-галоидных кристалов нагревается в парах галогена, то наблюдается пик поглощения другого типа, который соответствует поглощению катионных вакансий, захвативших дырки. Такие центры окраски называются V-центра-ми. Эти дырочные центры несколько отличаются от электронных. [17]

Сверхтонкая структура спектров F-центров, особенно исследованная методом электронно-ядерного двойного резонанса ( ЭЯДР), позволяет не только установить общее строение центра, но и получить - чень подробную информацию о распределении в нем электронной плотности. В свою очередь данные о распределении электронной плотности составляют основу для полуэмпирической аппроксимации F-центров. [18]

Так как для F-центров соответствующее расстояние составляет 1 6 эв ( см. разд. [19]

Способность образовавшегося облака F-центров перемещаться в электрическом поле вызывает в кристалле последовательное перемещение отдельных скоплений F-центров. [20]

Увеличенная экситонами фотоэмиссия F-центров в йодиде рубидия вблизи 85 К. [21]

Промер кривой поглощения F-центров позволяет ка основе классической теории дисперсии вычислить число F-центров в единице объема. [22]

Простейший такой центр - F-центр, изображен на рис. 3.6. Он представляет собой анионную вакансию, которая, имея эффективный положительный заряд, удерживает при - себе свободный электрон. Этот электрон может появиться в кристалле, например, в результате ионизации избыточного атома щелочного металла. Такой / - - центр вызывает появление полос поглощения в видимой области спектра. В результате этого бесцветный щелочно-галоидный кристалл становится окрашенным. [23]

Вначале мы кратко рассмотрим F-центры в кристаллах галоге-нидов щелочных металлов и в аналогичных кристаллах. В таких системах F-центры хорошо изучены и охарактеризованы при помощи спектров электронного парамагнитного резонанса. Затем обсудим электроны в жидкостях, в частности растворы щелочных металлов в аммиаке. Последний случай исследован в значительно меньшей степени, и полученные здесь данные довольно ограниченны. В конце главы вернемся к обсуждению твердого состояния и рассмотрим электроны в неионных твердых телах, многие из которых являются просто твердыми растворителями, например замороженной водой или спиртом. [24]

В модели де Бура F-центр состоит просто из электрона, захваченного анионной вакансией. [25]

Мы постулируем, что изолированные F-центры в серебряно-галоидных кристаллах неподвижны при комнатной температуре, но что они могут медленно мигрировать механизмом термической диффузии электрона ( туннельный эффект) в соседний вакантный галоидный узел. Этим обусловливается возможность медленной термической агрегации изолированных F-центров, приводящей к образованию пар и полиагрегатов, причем скорость агрегации зависит от концентрации и подвижности вакантных галоидных узлов. Имеются два других возможных механизма образования агрегатов F-центров. Агрегаты F-центров ниже критического размера должны соединяться с вакантными галоидными узлами, образуя положительно заряженные агрегаты, обладающие некоторым временем жизни до момента их вторичной термической диссоциации. Если за это время жизни такому положительному агрегату будет передан электрон, то возникнет устойчивый нейтральный агрегат. Такой процесс может протекать при освещении кристалла, содержащего F-центры. Наконец, неподвижные пары F-центров и более крупные агрегаты также являются устойчивыми ловушками электронов, причем образующийся отрицательно заряженный центр способен притянуть положительно заряженный дефект решетки. [26]

Постройте спектр ЭПР для F-центра в NaF, приняв aNa 105 6 Гс для первой координационной сферы и ар61 6 Гс для второй. [27]

Виден ли спектр ЭПР F-центров. [28]

Начальный быстрый рост концентрации F-центров обусловлен захватом электронов, имеющимся до облучения анионными вакансиями, последующий этап сравнительно медленного накопления F-центров определяется преимущественно радиационной генерацией новых анионных вакансий. В общем случае в кристалле может быть несколько источников образования радиационных анионных вакансий, тогда кинетика накопления F-центров имеет многостадийный характер. [29]

Модели атомарных центров серебра в щелочно-галоидных кристалло-фосфорах. [30]

Страницы: 1 2 3 4