Cтраница 1
I-параметр а, 2-параметр с образцов твердах растворов, обожженных при 1350 С. [1]
Используя / i-параметры, измеренные в схеме с общим эмиттером, рассчитать ft - параметры для схемы с общей базой. Сравнить полученные расчетным путем параметры с измеренными и оценить погрешность. [2]
Выходные ( и и входная ( б характеристики транзистора, включенного по. [3] |
Находятся / i-параметры по характеристикам для заданной точки в соответствии с формулами, приведенными выше. [4]
Кроме / i-параметров, в справочниках приводятся значения теплового тока коллектора, измеряемого при комнатной температуре, предельные значения нагрузочного тока, коллекторного напряжения и мощности, которую триод может рассеять без перегрева. [5]
Система / i-параметров представляет интерес потому, что каждый из параметров имеет ясный физический смысл и может быть достаточно просто измерен. [6]
В справочниках / i-параметры приводятся обычно для схемы с общей базой и соответствуют рекомендованному режиму. Поэтому в случае использования других схем включения или других режимов необходимо их пересчитывать. [7]
Для определения / i-параметров необходим режим короткого замыкания в выходной цепи и режим холостого хода во входной. [8]
Положительные направления [ IMAGE ] Эквивалентная схема тран-яапряжений и токов четырехполюсника. зистора с / г-параметрами. [9] |
При измерении / i-параметров нужно размыкать низкоомный вход и замыкать высокоомный выход. [10]
В систему / i-параметров входят следующие величины. [11]
Связь между / i-параметрами триода как четырехполюсника и его физическими параметрами при включении триода по схеме с ОБ может быть установлена, если уравнения, связывающие токи с напряжениями в эквивалентной схеме рис. 2.18, а, записать в такой же. [12]
Эквивалентная схема транзистора с использованием А-параметров. [13] |
Напомним, что / i-параметры определены для малых амплитуд, поэтому использование их для больших амплитуд дает значительные погрешности. [14]
Входная характеристика транзистора П15.| Зависимость входного. [15] |