Режим - обеднение
Cтраница 2
Полевые транзисторы с управляющим р-л-переходом работают только в режиме обеднения; полевые транзисторы МДП-типа с индуцированным каналом-только в режиме обогащения; полевые транзисторы МДП-типа со встроенным каналом-как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. При наличии соответствующего начального смещения на затворе полевые транзисторы могут работать во всех режимах. [16]
 |
Выходные характеристики [ IMAGE ] Проходные характеристики полевого транзистора полевого транзистора с управляю.| Проходные характерно. [17] |
Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда ( независимо от типа его проводимости) при изменении напряжения затвор-исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока. [18]
Быстродействующее оперативное МОП ЗУ на приборах, работающих в режиме обеднения. [19]
Вычисление 1С, / нас g проведено нами на примере режима обеднения ( У30), для того чтобы нагляднее была видна аналогия с полевым транзистором с р-га-переходом. [20]
 |
Условные графические обозначения полевых транзисторов. [21] |
Таким образом, транзисторы с управляющим р-п-переходом работают только в режиме обеднения ( сужения) канала. [22]
Транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. [23]
Таким образом, МДП-транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения канала носителями заряда, так и в режиме обогащения. МДП-транзисторы с индуцированным каналом работают только в режиме обогащения. [24]
 |
Разрез структуры полевого транзистора с барьером Шотткя. [25] |
Таким образом, полевые транзисторы с управляющим р - га-переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда ( независимо от типа его проводимости) при изменении напряжения затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки. [26]
Транзисторы второй группы способны работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. [27]
Рассмотренный транзистор с собственным каналом, таким образом, может работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. [29]
Другая возможная структура МОП-транзистора позволяет работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения, подобном режиму полевого транзистора с p - n - переходом. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5