Режим - обеднение
Cтраница 3
Шоттки выполняются на основе арсенида галлия с каналом n - типа проводимости, работающим в режиме обеднения, и используются в СВЧ-технике. [31]
Этот слой называется обедненной областью и, говорят, что МДП-конденсатор находится в состоянии или режиме обеднения. Режим обеднения является основным рабочим режимом для фото - ПЗС. [32]
МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. [33]
По принципу работы прибора внешнее напряжение может только уменьшать ток стока: такой режим работы называют режимом обеднения. [34]
 |
Распределение зарядов в поверхностном слое кремния р-типа. [35] |
Приборы с каналом р-типа в принципе могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. Структура такого транзистора подобна структуре транзистора с каналом п-типа. Отличие заключается в том, что подложка имеет электропроводность л-типа, а исток и сток представляют собой сильно легированные области р-типа. [36]
Режим работы, при котором увеличение абсолютного значения напряжения на затворе приводит к уменьшению тока стока, называется режимом обеднения. Так, транзистор, изображенный на рис. 6.13, может работать только в режиме обогащения и называется поэтому транзистором с индуцированным каналом. Транзистор, изображенный на рис. 6.14, может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения и называется транзистором с проводящим каналом. [37]
На управляющий р-п переход можно подавать только обратное напряжение, и поэтому полевые транзисторы с управляющим р-п переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда. [38]
В отличие от этого ток стока полевых транзисторов с р-п - переходом или полевых транзисторов с изолированным затвором, работающих в режиме обеднения, существует при нулевом смещении на затворе. Поскольку выходная характеристика этих транзисторов / с / ( с) имеет участок насыщения тока стока, появляется возможность использовать эти приборы для стабилизации тока. При этом не требуется дополнительных стабилизированных источников питания, так как затвор полевого транзистора соединяется с истоком ( рис. 3), и, таким образом, стабилизация тока осущест-вляется одним полупроводниковым элементом. [39]
Режим работы транзистора, при котором увеличение ( по абсолютному значению) напряжения на затворе приводит к уменьшению тока стока, называется режимом обеднения. [40]
Полевые транзисторы имеют следующие преимущества по сравнению с биполярными транзисторами: 1) очень высокий входной импеданс, особенно при работе в режиме обеднения; 2) низкий уровень шумов; 3) полевые транзисторы, в частности МОП-транзисторы, удобны для использования в интегральных схемах. [41]
Напряжение отсечки [ / зи ото - напряжение между затвором и истоком транзистора с р - - переходом или изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока / с достигает заданного низкого значения; токопроводящий канал при этом оказывается перекрытым. [42]
Как правило, транзисторы, работающие в режиме обогащения, не имеют первоначального инверсного слоя при нулевом напряжении на затворе в отличие от транзисторов, работающих в режиме обеднения, которые являются более важными, поскольку могут работать как при положительном, так и при отрицательном напряжениях на затворе. Из рассмотрения очевидно, что МДП-транзис-тор с каналом - типа при положительном напряжении на затворе и МДП-транзистор с каналом р-типа при отрицательном напряжении на затворе работают в режиме обогащения. С другой стороны, МДП-транзистор с каналом - типа при отрицательном напряжении на затворе и МДП-транзистор с каналом р-типа при положительном напряжении на затворе работают в режиме обеднения. [43]
Так как легирование р-типа в арсениде галлия представляет определенные трудности, то современный полевой транзистор с барьером Шоттки является прибором n - типа проводимости, работающим в режиме обеднения и предназначенным в основном для использования в СВЧ технике. [44]
 |
Структура ППТ ( а и вольтамперные характеристики триодов в режиме обогащения ( б и обеднения ( я. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5