Режим - обеднение
Cтраница 4
ППТ на высокоомных пленках, например на сульфиде кадмия ( CdS), работают в режиме обогащения, триоды на низкоомной пленке ( теллуре) - в режиме обеднения. Пленки полупроводника средней электропроводности, например селенид кадмия ( CdSe), позволяют создавать транзисторы, работающие как в режиме обогащения, так и обеднения. [46]
Полевые транзисторы с управляющим р-л-переходом работают только в режиме обеднения; полевые транзисторы МДП-типа с индуцированным каналом-только в режиме обогащения; полевые транзисторы МДП-типа со встроенным каналом-как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. При наличии соответствующего начального смещения на затворе полевые транзисторы могут работать во всех режимах. [47]
Для них характерны стабильность работы в атмосфере ( в том числе и влажной), достаточно низкий порог фоточувствительности ( 10 - п Вт / см2) в режиме нестационарного обеднения, высокая радиационная стойкость, возможность управления фоточувствительностью внешним электрическим полем. [48]
 |
Распределение зарядов в поверхностном слое кремния р-типа. [49] |
По существу это объясняет две возможные модели МДП-транзистора: транзистор с каналом я-типа, работающий в режиме обогащения в случае приложения к затвору положительного относительно подложки напряжения, и транзистор, работающий в режиме обеднения в случае приложения к затвору отрицательного относительно подложки напряжения. [50]
 |
Структура части МДП-транзистора, принятая для расчета выходных статических характеристик. [51] |
Статические характеристики передачи ( рис. 6.12 6) выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки t / зиотс, т.е. напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. [52]
Статические характеристики передачи ( рис. 6.12 6) выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки i / зиотч -, т.е. напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. [53]
Этот слой называется обедненной областью и, говорят, что МДП-конденсатор находится в состоянии или режиме обеднения. Режим обеднения является основным рабочим режимом для фото - ПЗС. [54]
В полевых транзисторах со встроенным каналом ( рис. 1.15 6) при подаче на затвор отрицательного относительного истока потенциала ( для канала n - типа), в канале индуцируются положительные заряды и формируется обедненный слой, который увеличивает удельное сопротивление канала. Такой режим называют режимом обеднения канала носителями заряда. [55]
 |
Структура МДП-транзисторов с индуцированным ( а и встроенным ( б каналами. [56] |
Такие транзисторы работают как при положительных, так и при отрицательных напряжениях на затворе. При отрицательном напряжении наблюдается режим обеднения, при котором электрическое поле, создаваемое напряжением U31i, выталкивает электроны из канала, уменьшая его удельную проводимость. При положительном напряжении U3it наблюдается режим обогащения, при котором электрическое поле втягивает электроны в канал из р-обпас-ти, что увеличивает удельную проводимость канала. [57]
С течением времени в обедненной МДП-структуре за счет генерации происходит образование электронно-дырочных пар и возможно создание паразитного для ПЗС инверсионного слоя. Время, необходимое МДП-структуре для перехода из режима обеднения в режим инверсии, называется временем релаксации / s; его значение оценивается из условия компенсации объемного заряда обедненного слоя ионов примеси подвижными носителями, созданными тепловой генерацией. [58]
 |
Принцип работы транзистора МДП-типа с индуцированным каналом / 7-типа. [59] |
Это напряжение, так же как и для полевого транзистора с управляющим р - / г-переходом, называется напряжением отсечки f / OTC. Изменение изи от нуля до UOTC соответствует режиму обеднения транзистора МДП-типа. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5