Cтраница 5
Статические характеристики передачи ( рис. 6.12, б) выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки t / зи. МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. [61]
В схеме на рис. 1.2 а используется ПТ с управляющим р-п-переходом, а в схеме на рис. 1.2 6 - МОП-транзистор, работающий в режиме обогащения. На рис. 1.2 в изображен МОП-транзистор, работающий в режиме обеднения. [62]
В МДП-транзисторе со встроенным каналом ( рис. 5.21, в) эта характеристика располагается посредине семейства. Выше ее идут характеристики, соответствующие режиму обогащения, ниже - режиму обеднения. [63]