Режим - обогащение
Cтраница 3
Биполярные транзисторы и полевые транзисторы с изолированным затвором, работающие в режиме обогащения, требуют подачи напряжения ( тока) смещения в отпирающей полярности, ибо при t / 2ynp 0 они заперты и тока не проводят. И здесь происходит инверсия выходного сигнала f / BbIX относительно входного. [31]
Большие интегральные схемы ( БИС) обычно строятся на работающих в режиме обогащения полевых МОП-транзисторах одной полярности. Это позволяет сократить несколько стадий технологического процесса по сравнению с КМОП-технологией и обеспечить более высокую плотность размещения элементов в кристалле, чем при биполярной или КМОП-технологии. Поскольку такие БИС имеют широкое распространение, необходимо знать, как сопрягаются меЖДУ собой элементы МОП и ТТЛ ( или КМОП) и как входы и выходы МОП элементов соединяются с внешними схемами на дискретных компонентах. [32]
 |
Схема И-ИЛИ-НЕ ( И-ИЛИ на МОП-транзисторах. [33] |
Как правило, в схемах МОПТЛ используются МОП-транзисторы, работающие в режиме обогащения, с каналом р-типа. Для того чтобы открыть такой транзистор, ему на затвор нужно подать достаточно большое отрицательное напряжение. [34]
Вследствие симметричной конструкции полевого транзистора со структурой металл-диэлектрик - полупроводник, работающего в режиме обогащения, физическое различие между областями истока и стока отсутствует. Однако схема включения определяет, какой из электродов следует использовать в качестве истока и какой - в качестве стока. Для МДП-транзистора с каналом - типа истоком принято считать диффузионную область - типа, к кото-рои прикладывается более высокое отрицательное напряжение, а для МДП-траязистора с каналом р-типа - область р - типа, к которой прикладывается более высокое положительное напряжение. Следует также отметить, что имеются конструкции МДП-транзис-торов с асимметричными областями истока и стока. Кроме того, в некоторых промышленных типах МДП-транзисторов контакт истока замкнут на подложку. В этих случаях исток и сток не могут быть функционально взаимозаменяемыми. [35]
Если МОП-транзистор начинает проводить при положительном напряжении на затворе, то он работает в режиме обогащения канала. Из характеристик, приведенных на рис. 1.156, видно, что ток в канале увеличивается с увеличением напряжения затвора. [36]
 |
Структура ППТ ( а и вольтамперные характеристики триодов в режиме обогащения ( б и обеднения ( я. [37] |
ППТ на высокоомных пленках, например на сульфиде кадмия ( CdS), работают в режиме обогащения, триоды на низкоомной пленке ( теллуре) - в режиме обеднения. Пленки полупроводника средней электропроводности, например селенид кадмия ( CdSe), позволяют создавать транзисторы, работающие как в режиме обогащения, так и обеднения. [38]
 |
Модели распределения плотности состояний в запрещенной зоне. 1. - данные. 4 - данные при - EQJ t 1 8 13. [39] |
Так как подвижность электронов выше подвижности дырок, п-канальные a - Si-ТПТ обычно работают в режиме обогащения. [40]
 |
Распределение зарядов в поверхностном слое кремния р-типа. [41] |
По существу это объясняет две возможные модели МДП-транзистора: транзистор с каналом я-типа, работающий в режиме обогащения в случае приложения к затвору положительного относительно подложки напряжения, и транзистор, работающий в режиме обеднения в случае приложения к затвору отрицательного относительно подложки напряжения. [42]
Схема уравновешивания заряда является обычной дельта-сигма-схемой с полевым / - канальным транзистором Т2, работающим в режиме обогащения, который выдает порции заряда в соответствии с состоянием триггера ИМС5а после каждого такта синхронизации. Эта схема не подсчитывает какое-то определенное число тактов синхронизации, а просто накапливает до тех пор, пока не остановится. [43]
Транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. [44]
 |
Проходные характеристики транзисторов МДП-типа. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5