Результат - действие - излучение
Cтраница 2
 |
Кинетика образования перекиси водорода при действии электронного потока. [16] |
Исследование процесса в данной системе при действии - - излучения усложняется тем, что определенное количество перекиси водорода появляется в результате действия излучения на водный раствор щелочи, создавая фон. [17]
По характеру процессов, преобладающих при облучении, полимеры линейного строения подразделяются на две основные группы: 1) сшивающиеся при облучении и 2) деструктирующиеся в результате действия излучения. В табл. 45 приведена классификация полимеров по их отношению к излучению. [18]
В основном похожие механизмы следует принять также и для отрицательных ионов. Оторванный от молекулы в результате действия излучения, электрон живет ( в молекулярно-кине-тическом смысле) относительно долго в свободном состоянии, пека он не рекомбинирует с некоторым положительным ионом или не прилипнет к нейтральней молекуле. [19]
Большинство сульфгидрильных ферментов печени не изменяется даже при облучении в высоких дозах. Все же следует отметить, что результаты действия излучения в отношении ферментов печени не являются постоянными, что может быть проиллюстрировано следующими данными. [20]
На основании опытных данных была построена треугольная диаграмма для этой системы ( рис. 88), где показаны область образования гель-фракции и ее величина, участок композиций, не растворимых в водных растворах щелочей и кислот, и область образования прозрачного триполимера. Из этого рисунка видно, что в результате действия излучений образование трехмерных сшитых структур происходит в широком интервале концентраций компонентов смеси. Ограниченная кривой область, где образуются такие продукты, занимает более половины площади диаграммы. Величина гель-фракции растет с увеличением содержания в смеси метакриловой кислоты. Аллиламин оказывает обратное влияние: чем больше его содержание в тройных смесях, тем меньше выход отвержденного продукта. [21]
Первым шагом изучения радиационно-химической реакции является установление природы общих изменений, вызываемых излучением. Для большого числа систем это уже сделано, а для многих еще не исследованных можно предсказать результаты действия излучения по аналогии. Может показаться удивительным, что реакции, вызываемые излучением высокой энергии, в такой же степени специфичны, как и большинство других химических реакций. Это объясняется тем, что высокая начальная энергия излучения быстро теряется при прохождении его через вещество и химическое изменение, вызываемое этим излучением, представляет в основном результат действия электронов с энергией ниже приблизительно 100 эв. Кроме того, образуемые такими электронами короткоживущие промежуточные соединения не дают конечных продуктов немедленно, а участвуют в различных процессах переходного характера. Поэтому конечное изменение, которое претерпевают молекулы облучаемого вещества, не обязательно будет совпадать с изменением в начальный момент действия излучения. Изучение таких переходных процессов встречает большие трудности, и для многих целей оказывается достаточным изучение суммарных реакций, встречающихся в радиационной химии. [22]
Приведенный анализ показывает, что. Оказывается, однако, все закономерности можно описать, предположив, что первичная активная частица, образующаяся в результате действия излучения, есть некое гипотетическое возбужденное состояние, реакциями которого с растворенными веществами определяются механизм и кинетика радиационно-химических процессов. [23]
Действия излучений чрезвычайно многочисленны и разнообразны. Они существенно зависят от рода облучаемой системы, а также от характера производимых наблюдений, от того, какие изменения проявляются в виде результата действия излучения и что в каждом отдельном случае рассматривается как результат действия излучения. Меньшее значение имеют природа и качество излучения, если отвлечься от вопросов, связанных с пороговыми значениями энергии, необходимыми для осуществления определенных процессов. Впрочем, при действии всех типов ионизирующих излучений пороговые значения обычно оказываются превышенными, если не иметь в виду чисто ядерных процессов. Следует также отметить, что при облучении твердых тел тяжелыми частицами некоторые процессы, например изменения в кристаллической решетке, встречаются относительно более часто, чем при действии фотонов или электронов. [24]
 |
Кинетические кривые накопления радикалов при 300 К. [25] |
Кажущаяся энергия активации процесса уничтожения радикалов под действием излучения очень мала. Малые значения кажущейся энергии активации и близкие величины констант скорости уничтожения радикалов в процессе облучения для разных веществ подтверждают гипотезу о том, что уничтожение радикалов происходит в результате действия излучения. С этим согласуется тот факт, что реакция следует первому порядку, а также пропорциональность скорости реакции мощности дозы и слабая зависимость ее QT температуры. Однако все это не означает еще, что радикалы уничтожаются в результате прямого воздействия на них излучения. [26]
Действия излучений чрезвычайно многочисленны и разнообразны. Они существенно зависят от рода облучаемой системы, а также от характера производимых наблюдений, от того, какие изменения проявляются в виде результата действия излучения и что в каждом отдельном случае рассматривается как результат действия излучения. Меньшее значение имеют природа и качество излучения, если отвлечься от вопросов, связанных с пороговыми значениями энергии, необходимыми для осуществления определенных процессов. Впрочем, при действии всех типов ионизирующих излучений пороговые значения обычно оказываются превышенными, если не иметь в виду чисто ядерных процессов. Следует также отметить, что при облучении твердых тел тяжелыми частицами некоторые процессы, например изменения в кристаллической решетке, встречаются относительно более часто, чем при действии фотонов или электронов. [27]
Свойствами полупроводниковых материалов объясняется также пониженная устойчивость приборов к радиоактивному излучению. При облучении полупроводниковых приборов может наблюдаться резкое повышение концентрации носителей за счет ионизации атомов полупроводника. В результате действия излучения в кристаллической решетке могут возникать нарушения, связанные со смещением отдельных атомов внутри решетки. Такие дефекты остаются и после прекращения облучения и существенно изменяют параметры материала, например время жизни неосновных носителей. Соответственно будут изменяться и параметры приборов, определяемые в той или иной степени этим параметром материала. Радиационные дефекты могут иметь определенную тенденцию к восстановлению свойств во времени. [28]
В дезаэрированных растворах бензола, согласно [73], образуются фенол с выходом 0 23 молек / 100 эв ( при мощностях дозы до 1023 эв / мл-сек) и дифенил. Большая часть последнего продукта возникает за счет послерадиационных процессов. Кроме того, в результате действия излучения происходит образование двух или даже трех димерных продуктов, два из которых медленно разлагаются после облучения. Суммарный выход димеров равен 0 5 молек / 100 эв. [29]
Для большей простоты и наглядности в последующем изложении рассмотрена модельная система, включающая два радикала Н и ОН. В случае реальных систем всегда следует исходить из конкретного представления о природе образующихся в результате действия излучения частиц. [30]
Страницы: 1 2 3