Выдержка из книги
Гурвич А.М.
Введение в физическую химию кристаллофосфоров
Поскольку расстояние уровня VM от дна зоны проводимости растет при увеличении ширины запрещенной полосы Ее, то рост последней должен способствовать образованию пар взаимно компенсирующих друг друга дефектов.
