Выдержка из книги
Степаненко И.П.
Основы теории транзисторов и транзисторных схем Изд3
При выводе этой формулы распределение носителей вдоль базы было принято экспоненциальным, как и должно быть в стационарном режиме. Во время переходного процесса распределение дырок характеризуется изображением, оригинал которого слишком сложен для последующего интегрирования. Такое допущение основано на выражениях ( 1 - 124) и ( 1 - 125) для операторной диффузионной длины и ее оригинала.
