Электронно-дырочный переход обладает свойствами, которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы. На рис. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Овечкин Ю.А.
Полупроводниковые приборы 1974
Электронно-дырочный переход обладает свойствами, которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы. На рис. 2.1, а условно показан кристалл, одна часть объема которого имеет дырочную электропроводимость, а другая - электронную. В этом случае электроны и дырки могут переходить через границу. Слева от границы раздела электронов значительно меньше, чем справа, поэтому электроны стремятся диффундировать в р-область. Однако как только электроны попадают в / 7-область, они начинают рекомбинировать с дырками, основными носителями в р-области, и их концентрация по мере углубления быстро убывает. Аналогично дырки диффундируют из р-области в п-область.