Электронно-дырочный переход обладает свойствами, которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы. На рис. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы 1974


Электронно-дырочный переход обладает свойствами, которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы. На рис. 2.1, а условно показан кристалл, одна часть объема которого имеет дырочную электропроводимость, а другая - электронную. В этом случае электроны и дырки могут переходить через границу. Слева от границы раздела электронов значительно меньше, чем справа, поэтому электроны стремятся диффундировать в р-область. Однако как только электроны попадают в / 7-область, они начинают рекомбинировать с дырками, основными носителями в р-области, и их концентрация по мере углубления быстро убывает. Аналогично дырки диффундируют из р-области в п-область.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Электронно-дырочный переход обладает свойствами,  которые позволяют создать на его основе различные полупроводниковые приборы.  На рис. 2.1,  а условно показан кристалл,  одна часть объема которого имеет дырочную электропроводимость,  а другая - электронную.  В этом случае электроны и дырки могут переходить через границу.  Слева от границы раздела электронов значительно меньше,  чем справа,  поэтому электроны стремятся диффундировать в р-область.  Однако как только электроны попадают в / 7-область,  они начинают рекомбинировать с дырками,  основными носителями в р-области,  и их концентрация по мере углубления быстро убывает.  Аналогично дырки диффундируют из р-области в п-область.