Чтобы выяснить влияние новых каналов рекомбинации на насыщение поглощения, предположим вначале, что полупроводник практически компенсированный ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Грибковский В.П.
Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
Чтобы выяснить влияние новых каналов рекомбинации на насыщение поглощения, предположим вначале, что полупроводник практически компенсированный и при малых интенсив-ностях возбуждения электроны в зоне и на донорных уровнях, а дырки в валентной зоне и на акцепторных уровнях не вырождены и характеризуются квазиравновесным распределением.
