Атомы примеси образуют в полупроводниках энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне. Эти атомы служат ловушками ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Павлов Л.П.
Методы измерения параметров полупроводниковых материалов
Атомы примеси образуют в полупроводниках энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне. Эти атомы служат ловушками захвата, если они способны захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением, и рекомбина-ционными ловушками, если на них происходит нейтрализация захваченных носителей заряда. Как правило, рекомбинационные ловушки характеризуются более глубокими энергетическими уровнями.