Атомы примеси образуют в полупроводниках энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне. Эти атомы служат ловушками ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов


Атомы примеси образуют в полупроводниках энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне. Эти атомы служат ловушками захвата, если они способны захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением, и рекомбина-ционными ловушками, если на них происходит нейтрализация захваченных носителей заряда. Как правило, рекомбинационные ловушки характеризуются более глубокими энергетическими уровнями.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Атомы примеси образуют в полупроводниках энергетические уровни,  расположенные в запрещенной зоне.  Эти атомы служат ловушками захвата,  если они способны захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением,  и рекомбина-ционными ловушками,  если на них происходит нейтрализация захваченных носителей заряда.  Как правило,  рекомбинационные ловушки характеризуются более глубокими энергетическими уровнями.