Выдержка из книги
Хамакава И.N.
Аморфные полупроводники и приборы на их основе
В работе Ишивата и др. отмечено, что / - слой в p - i - n - или n - i - p - переходе в действительности не является нелегированным, а содержит определенное количество фосфора или бора. Определенные в их работе коэффициенты диффузии фосфора и бора в a - Si: Н из сравнения профилей распределения легирующей добавки в образцах со структурами г - / Нерж. Такие коэффициенты диффузии являются слишком малыми, чтобы легирующий элемент мог продиффундировать в г - слой в процессе его осаждения, поэтому сделан вывод, что захват легирующей примеси обусловлен возбужденными объемами материала, которые переносят в г - слой легирующие атомы от легированного слоя или стенок камеры. Такой захват примеси должен учитываться при разработке и производстве солнечных элементов, полученных из a - Si методом тлеющего разряда на подложках как из нержавеющей стали.
