Выдержка из книги
Глебова Г.Д.
Производство полупроводниковых приборов
Как показано на фиг. Монокристалл такого кремния нарезают на заготовки, которые затем шлифуют до толщины - 0 25 мм. Для установления режима диффузии проверяют удельное сопротивление каждой заготовки.
