Схема установки для измерения времени жизни носителей заряда представлена на рис. 4.16. Образец О возбуждается ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Павлов Л.П.
Методы измерения параметров полупроводниковых материалов
Схема установки для измерения времени жизни носителей заряда представлена на рис. 4.16. Образец О возбуждается лучом лазера Л с модулированной добротностью. Интенсивность падающего потока регулируется ослабителем ОИ. Излучение образца направляется на систему оптических фильтров Ф, которая пропускает краевую люминесценцию, и фокусируется на фотоэлектронный умножитель ФЭУ. С фотоумножителя напряжение подается на первый вход фазочувствительного вольтметра ФВ. Зеркало 3 [ служит для изменения направления хода светового луча. Фазочувствительный вольтметр измеряет разность фаз этих напряжений. Разность фаз между возбуждающим излучением лазера и опорным напряжением от фотодиода измеряется при прохождении рассеянного образцом излучения лазера по тому же оптическому пути, что и реком-бинационное излучение образца. По результатам этих измерений вычисляют сдвиг фаз между возбуждающим световым потоком и потоком фотолюминесценции.
