Картины осадка ( системы напыленных пятен, характеризующие преимущественные направ ления испускания распыленных атомов), наблюдавшиеся при ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Майссела Л.N.
Технология тонких пленок Часть 1
Картины осадка ( системы напыленных пятен, характеризующие преимущественные направ ления испускания распыленных атомов), наблюдавшиеся при ионном распылении монокристаллов, интерпретировалрсь как прямое доказательство фокусировки при столкновениях в цепочке атомов. Однако отчетливые картины осадка были получены даже для кристаллических решеток, в ко торых невозможна фокусировка при столкновениях ( Ge, Si), или в гексагональной плотно упакованной решетке в направлениях, построенных из зигзагов. Подобные картины были получены даже для энергии ионов при которых в цепочке столкновений не могло участвовать более двух или трех атомов решетки.