Картины осадка ( системы напыленных пятен, характеризующие преимущественные направ ления испускания распыленных атомов), наблюдавшиеся при ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Майссела Л.N. Технология тонких пленок Часть 1


Картины осадка ( системы напыленных пятен, характеризующие преимущественные направ ления испускания распыленных атомов), наблюдавшиеся при ионном распылении монокристаллов, интерпретировалрсь как прямое доказательство фокусировки при столкновениях в цепочке атомов. Однако отчетливые картины осадка были получены даже для кристаллических решеток, в ко торых невозможна фокусировка при столкновениях ( Ge, Si), или в гексагональной плотно упакованной решетке в направлениях, построенных из зигзагов. Подобные картины были получены даже для энергии ионов при которых в цепочке столкновений не могло участвовать более двух или трех атомов решетки.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Картины осадка ( системы напыленных пятен,  характеризующие преимущественные направ ления испускания распыленных атомов),  наблюдавшиеся при ионном распылении монокристаллов,  интерпретировалрсь как прямое доказательство фокусировки при столкновениях в цепочке атомов.  Однако отчетливые картины осадка были получены даже для кристаллических решеток,  в ко торых невозможна фокусировка при столкновениях ( Ge,  Si),  или в гексагональной плотно упакованной решетке в направлениях,  построенных из зигзагов.  Подобные картины были получены даже для энергии ионов при которых в цепочке столкновений не могло участвовать более двух или трех атомов решетки.