Выдержка из книги
Янг Д.N.
Кинетика разложения твердых веществ
Имея в виду, что после Х - облучения интенсивность образующегося пика при 3500 А выше, а высвечивается он медленнее, чем после УФ-облучения, мы предполагаем, что при данной оптической плотности кристалла в целом соответствующие центры в первом случае распределены по большему объему, чем во втором. Этим различием объясняется и большая в общем устойчивость центров в первом случае, вызываемая снижением вероятности туннельных переходов, что позволяет отнести пик 3500 А к N2 - центрам, а пик 2160 А к - центрам. Предположения о природе переходов между центрами могут быть различными, однако разумно считать, что в - центрах неспаренный электрон занимает связывающую орбиталь, так что в принципе М2 - центры могут исчезать в результате захвата электрона от / - центров. Одновременно происходит медленная агрегация - центров с образованием N4 - центров. Должен иметь место также захват или присоединение N-атомов к ионам азида с образованием М4 - центров.