Известно, что облучение полупроводниковых кристаллов частицами высоких энергий представляет собой прямой путь создания дефектов решетки, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Фистуль В.И.
Сильно легированные полупроводники
Известно, что облучение полупроводниковых кристаллов частицами высоких энергий представляет собой прямой путь создания дефектов решетки, так как правильно расположенные атомы в кристалле могут быть смещены в междо-узельные состояния вследствие упругого соударения с частицей.