Известно, что облучение полупроводниковых кристаллов частицами высоких энергий представляет собой прямой путь создания дефектов решетки, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники


Известно, что облучение полупроводниковых кристаллов частицами высоких энергий представляет собой прямой путь создания дефектов решетки, так как правильно расположенные атомы в кристалле могут быть смещены в междо-узельные состояния вследствие упругого соударения с частицей.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Известно,  что облучение полупроводниковых кристаллов частицами высоких энергий представляет собой прямой путь создания дефектов решетки,  так как правильно расположенные атомы в кристалле могут быть смещены в междо-узельные состояния вследствие упругого соударения с частицей.