Такое увеличение тока утечки в транзисторах с коротким каналом из-за двумерного распределения потенциала уже не ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Сугайто Т.N. Введение в микроэлектронику


Такое увеличение тока утечки в транзисторах с коротким каналом из-за двумерного распределения потенциала уже не удовлетворяет условию плавного приближения. Это проявляется в том, что напряжение стока изменяет распределение потенциала перед истоком, и ток от истока к стоку протекает уже не через канал, а по объему полупроводника. Величина такого объемного тока зависит также от концентрации примеси в подложке и от глубины диффузии областей истока и стока.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Такое увеличение тока утечки в транзисторах с коротким каналом из-за двумерного распределения потенциала уже не удовлетворяет условию плавного приближения. Это проявляется в том, что напряжение стока изменяет распределение потенциала перед истоком, и ток от истока к стоку протекает уже не через канал, а по объему полупроводника. Величина такого объемного тока зависит также от концентрации примеси в подложке и от глубины диффузии областей истока и стока.