Для осуществления первого способа применяется ионное распыление, второго - термическое соиспарение редкоземельных металлов, которые легко ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Иванов-Есипович Н.К.
Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры
Для осуществления первого способа применяется ионное распыление, второго - термическое соиспарение редкоземельных металлов, которые легко соединяются с кислородом с образованием плотных и стойких пленок окислов.