Для осуществления первого способа применяется ионное распыление, второго - термическое соиспарение редкоземельных металлов, которые легко ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Иванов-Есипович Н.К. Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры


Для осуществления первого способа применяется ионное распыление, второго - термическое соиспарение редкоземельных металлов, которые легко соединяются с кислородом с образованием плотных и стойких пленок окислов.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Для осуществления первого способа применяется ионное распыление,  второго  -  термическое соиспарение редкоземельных металлов,  которые легко соединяются с кислородом с образованием плотных и стойких пленок окислов.