Данное выражение описывает истинное распределение тем точнее, чем тоньше слой, из которого происходит диффузия. Оно ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Парфенов О.Д. Технология микросхем


Данное выражение описывает истинное распределение тем точнее, чем тоньше слой, из которого происходит диффузия. Оно получено также в предположении, что поступление примеси в кристалл извне и испарение примеси из кристалла отсутствуют. Практически этап разгонки заключается в нагреве пластин в окислительной среде. Образующаяся оишсная плешка предохраняет введенную примесь от испарения.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Данное выражение описывает истинное распределение тем точнее,  чем тоньше слой,  из которого происходит диффузия.  Оно получено также в предположении,  что поступление примеси в кристалл извне и испарение примеси из кристалла отсутствуют.  Практически этап разгонки заключается в нагреве пластин в окислительной среде.  Образующаяся оишсная плешка предохраняет введенную примесь от испарения.