Наблюдается быстрое продвижение полупроводниковых приборов в область сверхвысоких частот. Прогресс в этом направлении был достигнут ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы 1974


Наблюдается быстрое продвижение полупроводниковых приборов в область сверхвысоких частот. Прогресс в этом направлении был достигнут в результате значительного усовершенствования технологии изготовления СВЧ-транзисторов, туннельных диодов и варикапов. Новые типы смесительных диодов, получившие название диодов с барьером Шоттки, позволили значительно улучшить СВЧ-устройства. В 1959 г. советскими учеными А. С. Та-гером и его сотрудниками была обнаружена генерация когерентных колебаний СВЧ в р-л-переходе при ударной ионизации. Этот эффект лег в основу лавинно-пролетного диода, на основе которого создан целый класс СВЧ-устройств: генераторы, усилители и преобразователи частоты.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Наблюдается быстрое продвижение полупроводниковых приборов в область сверхвысоких частот. Прогресс в этом направлении был достигнут в результате значительного усовершенствования технологии изготовления СВЧ-транзисторов, туннельных диодов и варикапов. Новые типы смесительных диодов, получившие название диодов с барьером Шоттки, позволили значительно улучшить СВЧ-устройства. В 1959 г. советскими учеными А. С. Та-гером и его сотрудниками была обнаружена генерация когерентных колебаний СВЧ в р-л-переходе при ударной ионизации. Этот эффект лег в основу лавинно-пролетного диода, на основе которого создан целый класс СВЧ-устройств: генераторы, усилители и преобразователи частоты.