К такому же эффекту приводит скопление дислокаций на отдельных участках поверхности. При внедрении примесных атомов ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Пичугин И.Г.
Технология полупроводниковых приборов
К такому же эффекту приводит скопление дислокаций на отдельных участках поверхности. При внедрении примесных атомов в кристаллическую решетку в ней возникают механические напряжения, вызванные различием атомных радиусов примесного элемента и полупроводника. Напряжения, обусловленные сжатием или растяжением решетки, могут оказаться достаточными для ее пластической деформации и генерации дислокаций.
