На рис. 1 - 9 показана принципиальная схема установки для осаждения эпитаксиальной пленки кремния. Установка ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Данилин Б.С. Вакуумное нанесение тонких пленок


На рис. 1 - 9 показана принципиальная схема установки для осаждения эпитаксиальной пленки кремния. Установка состоит из источника чистого водорода, системы насыщения тетрахлоридом, реакционной камеры и нагревателя. Для очистки от кислорода водород пропускают через ловушку 2, заполненную палладированным алун-дом. Для удаления водяных паров и конденсирующихся газов водород пропускают через вторую ловушку 3, заполненную алюмогелем или силикагелем и охлаждаемую жидким азотом. После этого очищенный водород проходит через сосуд 4 с тетрахлоридом кремния и обогащается его парами. Восстановление кремния происходит в реакционной камере, которая представляет собой кварцевую трубу, стенки которой охлаждаются проточной водой.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

На рис. 1 - 9 показана принципиальная схема установки для осаждения эпитаксиальной пленки кремния.  Установка состоит из источника чистого водорода,  системы насыщения тетрахлоридом,  реакционной камеры и нагревателя.  Для очистки от кислорода водород пропускают через ловушку 2,  заполненную палладированным алун-дом.  Для удаления водяных паров и конденсирующихся газов водород пропускают через вторую ловушку 3,  заполненную алюмогелем или силикагелем и охлаждаемую жидким азотом.  После этого очищенный водород проходит через сосуд 4 с тетрахлоридом кремния и обогащается его парами.  Восстановление кремния происходит в реакционной камере,  которая представляет собой кварцевую трубу,  стенки которой охлаждаются проточной водой.