Выдержка из книги
Данилин Б.С.
Вакуумное нанесение тонких пленок
На рис. 1 - 9 показана принципиальная схема установки для осаждения эпитаксиальной пленки кремния. Установка состоит из источника чистого водорода, системы насыщения тетрахлоридом, реакционной камеры и нагревателя. Для очистки от кислорода водород пропускают через ловушку 2, заполненную палладированным алун-дом. Для удаления водяных паров и конденсирующихся газов водород пропускают через вторую ловушку 3, заполненную алюмогелем или силикагелем и охлаждаемую жидким азотом. После этого очищенный водород проходит через сосуд 4 с тетрахлоридом кремния и обогащается его парами. Восстановление кремния происходит в реакционной камере, которая представляет собой кварцевую трубу, стенки которой охлаждаются проточной водой.
