Преимуществами гидридных процессов эпитаксии слоев кремния и германия по сравнению с хлоридными процессами являются сравнительно ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Киреев В.Ю. Мир электроники технологии микроэлектроники Химическое осаждение из газовой фазы


Преимуществами гидридных процессов эпитаксии слоев кремния и германия по сравнению с хлоридными процессами являются сравнительно низкие температуры осаждения и отсутствие химического воздействия хлорсодержащих соединений на подложку и растущий слой. Это позволяет уменьшить автолегирование осаждаемых слоев, получать более резкие концентрационные профили подложка - слой, улучшить качество эпитаксиальных слоев кремния и германия при гетероэпитаксии на диэлектрические и инородные полупроводниковые подложки, например: Si - Al2O3 ( кремний на сапфире - КНС) и Ge-AsGa, снизить искажения топологического рельефа слоев при осаждении на подложки со скрытым слоем.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Преимуществами гидридных процессов эпитаксии слоев кремния и германия по сравнению с хлоридными процессами являются сравнительно низкие температуры осаждения и отсутствие химического воздействия хлорсодержащих соединений на подложку и растущий слой. Это позволяет уменьшить автолегирование осаждаемых слоев, получать более резкие концентрационные профили подложка - слой, улучшить качество эпитаксиальных слоев кремния и германия при гетероэпитаксии на диэлектрические и инородные полупроводниковые подложки, например: Si - Al2O3 ( кремний на сапфире - КНС) и Ge-AsGa, снизить искажения топологического рельефа слоев при осаждении на подложки со скрытым слоем.