Под действием этого заряда электроны выталкиваются из приповерхностного слоя полупроводника ( см. § 1.9), что ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Шишкин Г.Г. Электронные приборы


Под действием этого заряда электроны выталкиваются из приповерхностного слоя полупроводника ( см. § 1.9), что также способствует образованию обедненного слоя. Поэтому высота барьера определяется не только разностью работ выхода, но и плотностью поверхностного заряда, а при очень высокой плотности поверхностного разряда ( арсенид галлия) практически не зависит от вида металла.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Под действием этого заряда электроны выталкиваются из приповерхностного слоя полупроводника ( см. § 1.9),  что также способствует образованию обедненного слоя.  Поэтому высота барьера определяется не только разностью работ выхода,  но и плотностью поверхностного заряда,  а при очень высокой плотности поверхностного разряда ( арсенид галлия) практически не зависит от вида металла.