Эпитаксиальные пленки кремния осаждают на подложку методом восстановления тетрахлорида или трихлорсилана кремния водородом. - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Главная
Карта сайта
Поиск +
Поиск по рисункам
Помощь
Выдержка из книги Брук В.А. Производство полупроводниковых приборов
Эпитаксиальные пленки кремния
осаждают на подложку методом восстановления тетрахлорида или трихлорсилана кремния водородом.
(cкачать страницу)
Смотреть книгу на
libgen
Поделиться ссылкой:
