Теоретические зависимости относительного количества Nr границ зерен, содержащих активные рекомбинационные центры, от напряжения смещения У, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Чопра К.N.
Тонкопленочные солнечные элементы
Теоретические зависимости относительного количества Nr границ зерен, содержащих активные рекомбинационные центры, от напряжения смещения У, приложенного к элементу с барьером Шоттки, при различных размерах зерен. К 5 см ( /, 10 - 4 см ( 2, 1Q - 3 см ( 3 и 10 - 2 см ( 4 ( а. зависимости эффективной диффузионной длины Leff неосновных носителей заряда от размера зерен г при различных напряжениях смещения V ( б. сплошные линии соответствуют высоте потенциального барьера на границах зерен Фе 0 5 В, штриховые линии - Ф 0 6 В.