Из литературных данных [11-14] следует, что за появление поверхностной сверхструктуры Si ( lll) - 5X5ответственна ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Кузнецов Ф.А.
Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок Ч 2
Из литературных данных [11-14] следует, что за появление поверхностной сверхструктуры Si ( lll) - 5X5ответственна примесь золота. Однако подобная сверхструктура может быть обусловлена и другой примесью. Обнаружено, что на поверхности эпитаксиальных пленок кремния, выращенных в хлоридном процессе, как правило, возникала сс5х5 при первом кратковременном прогреве кристалла до 800 - 900 С, в то время как на поверхности подложек обычно такая структура не появлялась, в том числе и на образцах, легированных золотом до концентраций 1017 - 1018 см-3. Это обстоятельство позволило предположить, что в образовании сс5х5 существенную роль играет примесь, внесенная в процессе роста пленки, а именно в данном процессе наиболее вероятно, - хлор. Характерной особенностью поведения сс5 X 5 является различное время ее существования при 850 С, что зависит от скорости роста пленки кремния.
![Из литературных данных [11-14] следует, что за появление поверхностной сверхструктуры Si ( lll) - 5X5ответственна примесь золота. Однако подобная сверхструктура может быть обусловлена и другой примесью. Обнаружено, что на поверхности эпитаксиальных пленок кремния, выращенных в хлоридном процессе, как правило, возникала сс5х5 при первом кратковременном прогреве кристалла до 800 - 900 С, в то время как на поверхности подложек обычно такая структура не появлялась, в том числе и на образцах, легированных золотом до концентраций 1017 - 1018 см-3. Это обстоятельство позволило предположить, что в образовании сс5х5 существенную роль играет примесь, внесенная в процессе роста пленки, а именно в данном процессе наиболее вероятно, - хлор. Характерной особенностью поведения сс5 X 5 является различное время ее существования при 850 С, что зависит от скорости роста пленки кремния.](/pic/0441272k75oFrC0040261431.png)