Для повышения рабочих напряжений в мощном транзисторе необходимо увеличивать напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода. В ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Для повышения рабочих напряжений в мощном транзисторе необходимо увеличивать напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода. В эпитаксиально-планар-ных транзисторах, как отмечалось выше ( см. § 4.5), пробой происходит на краях перехода, где переход имеет цилиндрическую область с малым радиусом кривизны. В ме-заэпитаксиально-планарной структуре, показанной на рис. 4.38, а, краевые цилиндрические участки устранены с помощью травления, так что коллекторный переход имеет плоскую форму и характеризуется повышенным напряжением пробоя. Здесь пассивные участки базы / имеют большие толщину и радиус кривизны на краях. Обе структуры позволяют повысить пробивное напряжение до 150 - 200 В, а более сложные структуры высоковольтных транзисторов - до 1000 В.
