Выдержка из книги
Изъюрова Г.И.
Приборы и устройства промышленной электроники
ТКН) эмиттерного перехода, как и ТКН полупроводникового диода, составляет - 2 мБ / град и имеет отрицательный знак Лт. С / Эб уменьшается ( так же как и прямое сопротивление перехода), что приводит к увеличению входного тока.
