Изображение участка солнечного элемента ITO - Si, полученное в растровом электронном микроскопе в режиме тока, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Фаренбрух А.N.
Солнечные элементы
Изображение участка солнечного элемента ITO - Si, полученное в растровом электронном микроскопе в режиме тока, наведенного электронным пучком. Поликристаллические слои Si изготовлены методом зонной очистки по способу Монсанто. Под оптическим микроскопом этот участок выглядит бесструктурным. При травлении выявляются ямки травления, которым на микрофотографии соответствуют темные точки на участке В. Появление черных точек обусловлено наличием электрически активных дислокаций в межкристаллитной области. Длинная сторона фотографии соответствует длине мм на образце [ фото с разрешения Inoue N.. Wilmsen С. W.. Jones К. A. / / Solar ( oIK. 1981, vol. 3 ].