Отклонения от взаимозаместимости при высокой освещенности начинаются по достижении такой скорости образования электронов и дырок, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Чибисова К.В. Физическая химия фотографических процессов


Отклонения от взаимозаместимости при высокой освещенности начинаются по достижении такой скорости образования электронов и дырок, которая превосходит скорость нейтрализации объемных зарядов, созданных захватом этих электронов и дырок на и вблизи поверхности центра светочувствительности подвижными ионами серебра. Количество малоэффективных внутренних электронных ловушек превосходит количество поверхностных ловушек, что создает тенденцию к начальному выделению атомов серебра на внутренних поверхностях. Этой тенденции противодействует положительный заряд на поверхности кристалла, созданный захваченными положительными дырками. Этот заряд притягивает электроны к поверхности кристалла.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Отклонения от взаимозаместимости при высокой освещенности начинаются по достижении такой скорости образования электронов и дырок, которая превосходит скорость нейтрализации объемных зарядов, созданных захватом этих электронов и дырок на и вблизи поверхности центра светочувствительности подвижными ионами серебра. Количество малоэффективных внутренних электронных ловушек превосходит количество поверхностных ловушек, что создает тенденцию к начальному выделению атомов серебра на внутренних поверхностях. Этой тенденции противодействует положительный заряд на поверхности кристалла, созданный захваченными положительными дырками. Этот заряд притягивает электроны к поверхности кристалла.