Выдержка из книги
Янг Д.N.
Кинетика разложения твердых веществ
Авторы этих работ рассматривают основной пик при 6100 А по существу как обусловленный переходами электрона, захваченного парой анионных вакансий, которые могут иметь по крайней мере дйе ориентации. Рост полосы 6100 А при 77 К происходит по закону 1-го порядка. Центры не вполне устойчивы даже при этой температуре и медленно распадаются с параллельным ростом пика при 6100 А. Аналогичное превращение может быть достигнуто при облучении светом, соответствующим F-полосе. Однако высокая эффективность образования полосы 6100 А при температуре жидкого гелия исключает это предположение. Вместе с Миллером мы предполагаем, что центр при 6100 А представляет собою первичный продукт. Однако при этом найдено, что в свежеоблученных кристаллах облучение светом с длиной волны, меньшей 4000 А, может переводить центры при 6100 А в / - центры. Отсюда видно, почему спектральный состав излучения УФ-лам-пы, используемой для первоначального образования центров окраски, может так сильно влиять на отношение интенсивностей пиков 6100 / 7300 А.