Авторы этих работ рассматривают основной пик при 6100 А по существу как обусловленный переходами электрона, ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Янг Д.N. Кинетика разложения твердых веществ


Авторы этих работ рассматривают основной пик при 6100 А по существу как обусловленный переходами электрона, захваченного парой анионных вакансий, которые могут иметь по крайней мере дйе ориентации. Рост полосы 6100 А при 77 К происходит по закону 1-го порядка. Центры не вполне устойчивы даже при этой температуре и медленно распадаются с параллельным ростом пика при 6100 А. Аналогичное превращение может быть достигнуто при облучении светом, соответствующим F-полосе. Однако высокая эффективность образования полосы 6100 А при температуре жидкого гелия исключает это предположение. Вместе с Миллером мы предполагаем, что центр при 6100 А представляет собою первичный продукт. Однако при этом найдено, что в свежеоблученных кристаллах облучение светом с длиной волны, меньшей 4000 А, может переводить центры при 6100 А в / - центры. Отсюда видно, почему спектральный состав излучения УФ-лам-пы, используемой для первоначального образования центров окраски, может так сильно влиять на отношение интенсивностей пиков 6100 / 7300 А.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Авторы этих работ рассматривают основной пик при 6100 А по существу как обусловленный переходами электрона,  захваченного парой анионных вакансий,  которые могут иметь по крайней мере дйе ориентации.  Рост полосы 6100 А при 77 К происходит по закону 1-го порядка.  Центры не вполне устойчивы даже при этой температуре и медленно распадаются с параллельным ростом пика при 6100 А.  Аналогичное превращение может быть достигнуто при облучении светом,  соответствующим F-полосе.  Однако высокая эффективность образования полосы 6100 А при температуре жидкого гелия исключает это предположение.  Вместе с Миллером мы предполагаем,  что центр при 6100 А представляет собою первичный продукт.  Однако при этом найдено,  что в свежеоблученных кристаллах облучение светом с длиной волны,  меньшей 4000 А,  может переводить центры при 6100 А в / - центры.  Отсюда видно,  почему спектральный состав излучения УФ-лам-пы,  используемой для первоначального образования центров окраски,  может так сильно влиять на отношение интенсивностей пиков 6100 / 7300 А.