Полупроводниковые ИС имеют активную подложку ( кристалл кремния), в которой с помощью единых технологических процессов ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Угрюмов Е.П. Элементы и узлы ЭЦВМ


Полупроводниковые ИС имеют активную подложку ( кристалл кремния), в которой с помощью единых технологических процессов создаются и активные и пассивные элементы схемы. Пассивные элементы этих ИС уступают по качеству ( разбросу сопротивлений, стабильности) пленочным пассивным элементам. Однако полупроводниковые ИС позволяют в полном объеме использовать преимущества ИС и групповые методы их производства. Полупроводниковые ИС делятся на: монолитные; многокристальные; на подложке, имеющей кристаллографическое сходство с кремнием; балочные.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Полупроводниковые ИС имеют активную подложку ( кристалл кремния),  в которой с помощью единых технологических процессов создаются и активные и пассивные элементы схемы.  Пассивные элементы этих ИС уступают по качеству ( разбросу сопротивлений,  стабильности) пленочным пассивным элементам.  Однако полупроводниковые ИС позволяют в полном объеме использовать преимущества ИС и групповые методы их производства.  Полупроводниковые ИС делятся на:  монолитные;  многокристальные;  на подложке,  имеющей кристаллографическое сходство с кремнием;  балочные.