Стехиометрические вакансии принципиально отличаются от термически активируемых дефектов Шоттки и Френкеля. Стехиометрические вакансии сохраняются и ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Угай Я.А. Введение в химию полупроводников Издание 2


Стехиометрические вакансии принципиально отличаются от термически активируемых дефектов Шоттки и Френкеля. Стехиометрические вакансии сохраняются и при температуре абсолютного нуля. Кроме того, концентрация стехиометрических вакансий может превышать концентрацию термоактивируемых вакансий на много порядков, что позволяет надежно исследовать их специфические особенности. Исследования показывают, что стехиометрические вакансии необходимо рассматривать как структурный компонент кристалла и формулу соединений с собственными дефектами правильнее записывать в виде А1 П В 1, где П - стехиометрическая вакансия.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Стехиометрические вакансии принципиально отличаются от термически активируемых дефектов Шоттки и Френкеля.  Стехиометрические вакансии сохраняются и при температуре абсолютного нуля.  Кроме того,  концентрация стехиометрических вакансий может превышать концентрацию термоактивируемых вакансий на много порядков,  что позволяет надежно исследовать их специфические особенности.  Исследования показывают,  что стехиометрические вакансии необходимо рассматривать как структурный компонент кристалла и формулу соединений с собственными дефектами правильнее записывать в виде А1 П В 1,  где П  -  стехиометрическая вакансия.