Термическое окисление кремния является одним из наиболее технологичных и широко применяемых на практике методов. Этот ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Угай Я.А. Практикум по химии и технологии полупроводников


Термическое окисление кремния является одним из наиболее технологичных и широко применяемых на практике методов. Этот процесс проводят в различных окислительных средах: сухом и увлажненном кислороде, водяном паре при атмосферном и повышенном ( до 500 атм) давлениях. Часто используют комбинированные режимы окисления, приводящие к образованию беспористых окисных слоев сравнительно большой толщины с хорошими электрическими свойствами, которые, к тому же, можно варьировать в определенных пределах. Иногда для ускорения термического окисления прибегают к использованию активаторов. Как правило, термическое окисление проводят в проточных системах, но иногда используют и оксидирование в герметичных реакторах, выдерживающих высокие давления. Однако эти способы не лишены некоторых недостатков. Так, при создании толстых ( 2 - 3 мкм) изолирующих пленок ( при изготовлении ИС с диэлектрической изоляцией) эти методы неприемлемы, поскольку уже при толщине окисла порядка 1 5 мкм скорость роста пренебрежимо мала.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Термическое окисление кремния является одним из наиболее технологичных и широко применяемых на практике методов. Этот процесс проводят в различных окислительных средах: сухом и увлажненном кислороде, водяном паре при атмосферном и повышенном ( до 500 атм) давлениях. Часто используют комбинированные режимы окисления, приводящие к образованию беспористых окисных слоев сравнительно большой толщины с хорошими электрическими свойствами, которые, к тому же, можно варьировать в определенных пределах. Иногда для ускорения термического окисления прибегают к использованию активаторов. Как правило, термическое окисление проводят в проточных системах, но иногда используют и оксидирование в герметичных реакторах, выдерживающих высокие давления. Однако эти способы не лишены некоторых недостатков. Так, при создании толстых ( 2 - 3 мкм) изолирующих пленок ( при изготовлении ИС с диэлектрической изоляцией) эти методы неприемлемы, поскольку уже при толщине окисла порядка 1 5 мкм скорость роста пренебрежимо мала.