Выдержка из книги
Фаренбрух А.N.
Солнечные элементы
Изменение J0 нА может быть вызвано поглощением света состояниями вблизи границы раздела, в объеме материала у перехода или в диэлектрическом слое элементов с МДП-структурой, причем в любом из этих случаев возможно изменение профиля распределения концентрации носителей заряда в переходе.
