Изменение скорости роста GaP на GaAs в зависимости от температуры источника при давлении НС1 240 ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Палатник Л.С. Эпитаксиальные пленки


Изменение скорости роста GaP на GaAs в зависимости от температуры источника при давлении НС1 240 мм рт. ст.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Изменение скорости роста GaP на GaAs в зависимости от температуры источника при давлении НС1 240 мм рт. ст.