Изменение скорости роста GaP на GaAs в зависимости от температуры источника при давлении НС1 240 ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Главная
Карта сайта
Поиск +
Поиск по рисункам
Помощь
Выдержка из книги Палатник Л.С. Эпитаксиальные пленки
Изменение скорости роста GaP на GaAs в зависимости от температуры источника при давлении НС1 240 мм рт. ст.
(cкачать страницу)
Смотреть книгу на
libgen
Поделиться ссылкой: