В этом случае говорят, что на поверхности - области возник канал проводимости. При большом положительном ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники


В этом случае говорят, что на поверхности - области возник канал проводимости. При большом положительном заряде на поверхности инверсионный слой возникает на / 7-области. Так как инверсионный слой легче образуется ( при меньшем заряжении поверхности) у высокоомных полупроводников, то при несимметричном р-п переходе возникновение канала проводимости происходит практически при одном знаке заряжения поверхности.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В этом случае говорят, что на поверхности - области возник канал проводимости. При большом положительном заряде на поверхности инверсионный слой возникает на / 7-области. Так как инверсионный слой легче образуется ( при меньшем заряжении поверхности) у высокоомных полупроводников, то при несимметричном р-п переходе возникновение канала проводимости происходит практически при одном знаке заряжения поверхности.