В результате рассмотрения энергий активации, необходимых для различного типа процессов роста, был сделан вывод о ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Майссела Л.N. Технология тонких пленок Часть 1


В результате рассмотрения энергий активации, необходимых для различного типа процессов роста, был сделан вывод о том, что образование окисной фазы во время реактивного распыления происходило почти полностью на подложке. Для пленок окиси алюминия, например, наносимых на сапфир прямым ( высокочастотным) распылением, скорость нанесения изменялась от 75 А / мин при температуре подложки 375 С до 38 А / мин при температуре подложки 520 С. В то же время для пленок окиси алюминия, получаемых на сапфире реактивным распылением в тлеющем разряде постоянного тока, скорость нанесения изменялась от 95 А / мин при температуре подложки 375 С до 145 А / мин при температуре подложки 500 С.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В результате рассмотрения энергий активации, необходимых для различного типа процессов роста, был сделан вывод о том, что образование окисной фазы во время реактивного распыления происходило почти полностью на подложке. Для пленок окиси алюминия, например, наносимых на сапфир прямым ( высокочастотным) распылением, скорость нанесения изменялась от 75 А / мин при температуре подложки 375 С до 38 А / мин при температуре подложки 520 С. В то же время для пленок окиси алюминия, получаемых на сапфире реактивным распылением в тлеющем разряде постоянного тока, скорость нанесения изменялась от 95 А / мин при температуре подложки 375 С до 145 А / мин при температуре подложки 500 С.