Омическим контактом называется контакт, представляющий собой резервуар носителей, которые могут по мере надобности переходить в ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Роуз А.N. Основы теории фотопроводимости


Омическим контактом называется контакт, представляющий собой резервуар носителей, которые могут по мере надобности переходить в полупроводник. Может показаться, что это определение является все го лишь окольным путем для описания контакта, в котором зоны загнуты так, что концентрация носителей вблизи контакта понышена по сравнению с остальным объемом полупроводника. Однако это определение включает также случай, описанный в § 2, где сильно поглощаемый свет высокой интенсивности обеспечивал наличие омического контакта даже в отсутствие такого загиба зон. Кроме того, запирающий контакт, если он достаточно тонок, чтобы сделать возможным туннельное просачивание носителей из металла в полупроводник, действует подобно омическому контакту, по крайней мере в том смысле, что для него соблюдается закон Ома и должны наблюдаться также токи, ограниченные объемным зарядом. В этом случае к обедненному слою достаточно приложить очень малое напряжение, чтобы обеспечить необходимый туннельный ток, и такой контакт можно рассматривать как квазиомический. Наконец, нейтральные контакты действуют подобно омическим в узком смысле соблюдения закона Ома в области токов, не превышающих тока насыщения эмиссии. Нейтральные контакты не имеют резервуара, концентрация носителей в котором превышает объемную, и, следовательно, они не позволяют получать токи Ограниченные объемным зарядом.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Омическим контактом называется контакт, представляющий собой резервуар носителей, которые могут по мере надобности переходить в полупроводник. Может показаться, что это определение является все го лишь окольным путем для описания контакта, в котором зоны загнуты так, что концентрация носителей вблизи контакта понышена по сравнению с остальным объемом полупроводника. Однако это определение включает также случай, описанный в § 2, где сильно поглощаемый свет высокой интенсивности обеспечивал наличие омического контакта даже в отсутствие такого загиба зон. Кроме того, запирающий контакт, если он достаточно тонок, чтобы сделать возможным туннельное просачивание носителей из металла в полупроводник, действует подобно омическому контакту, по крайней мере в том смысле, что для него соблюдается закон Ома и должны наблюдаться также токи, ограниченные объемным зарядом. В этом случае к обедненному слою достаточно приложить очень малое напряжение, чтобы обеспечить необходимый туннельный ток, и такой контакт можно рассматривать как квазиомический. Наконец, нейтральные контакты действуют подобно омическим в узком смысле соблюдения закона Ома в области токов, не превышающих тока насыщения эмиссии. Нейтральные контакты не имеют резервуара, концентрация носителей в котором превышает объемную, и, следовательно, они не позволяют получать токи Ограниченные объемным зарядом.