С ростом тока эмиттера в соответствии с выражением (4.14) увеличивается напряженность внутреннего поля базы, движение ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Батушев В.А. Электронные приборы


С ростом тока эмиттера в соответствии с выражением (4.14) увеличивается напряженность внутреннего поля базы, движение дырок на коллектор становится более направленным, в результате уменьшаются рекомбинационные потери на поверхности базы, возрастает коэффициент переноса v, а следовательно, и а. При дальнейшем увеличении тока эмиттера снижается коэффициент инжекции и растут потери на объемную рекомбинацию, поэтому коэффициент передачи тока а начинает уменьшаться.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

С ростом тока эмиттера в соответствии с выражением (4.14) увеличивается напряженность внутреннего поля базы,  движение дырок на коллектор становится более направленным,  в результате уменьшаются рекомбинационные потери на поверхности базы,  возрастает коэффициент переноса v,  а следовательно,  и а.  При дальнейшем увеличении тока эмиттера снижается коэффициент инжекции и растут потери на объемную рекомбинацию,  поэтому коэффициент передачи тока а начинает уменьшаться.