В стехиометрических ионных кристаллах при отсутствии электронной разупорядоченности ионные дефекты всегда образуются в определенных комбинациях. ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Чеботин В.Н. Физическая химия твердого тела


В стехиометрических ионных кристаллах при отсутствии электронной разупорядоченности ионные дефекты всегда образуются в определенных комбинациях. Как и в кристаллах неионных химических соединений, эти комбинации должны быть такими, чтобы в ходе реакции сохранялось постоянным отношение чисел узлов разных подрешеток. Кроме того, на реакции образования заряженных дефектов накладывается дополнительное условие: сумма эффективных зарядов всех возникающих дефектов должна равняться нулю, с тем чтобы в ходе реакции не нарушалась электронейтральность кристалла. В бинарном ионном соединении МХГ, содержащем полностью ионизованные вакансии или междуузельные ионы, обоим указанным условиям удовлетворяют следующие комбинации ионных дефектов.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

В стехиометрических ионных кристаллах при отсутствии электронной разупорядоченности ионные дефекты всегда образуются в определенных комбинациях. Как и в кристаллах неионных химических соединений, эти комбинации должны быть такими, чтобы в ходе реакции сохранялось постоянным отношение чисел узлов разных подрешеток. Кроме того, на реакции образования заряженных дефектов накладывается дополнительное условие: сумма эффективных зарядов всех возникающих дефектов должна равняться нулю, с тем чтобы в ходе реакции не нарушалась электронейтральность кристалла. В бинарном ионном соединении МХГ, содержащем полностью ионизованные вакансии или междуузельные ионы, обоим указанным условиям удовлетворяют следующие комбинации ионных дефектов.