После образования р-л-перехода и возникновения некоторол контактной разности потенциалов UK устанавливается тепловое равновесие, при котором ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники


После образования р-л-перехода и возникновения некоторол контактной разности потенциалов UK устанавливается тепловое равновесие, при котором результирующий ток через р-п переход становится равным нулю. Это означает что в условиях теплового равновесия вероятность прохождения носителей заряда через р-п переход в обоих направлениях становится одинаковой. Ферми р-области WFp и n - области WFn должны расположиться в одну линию. При этом энергетическая диаграмма р-п перехода имеет вид, показанный на рис. 3.4, в. Концентрация электронов в зоне проводимости л-области оказывается выше, так как минимальная энергия, которой должны обладать электроны в этой зоне, ниже, чем в зоне проводимости р-области. Чтобы перейти в зону проводимости полупроводника р-типа, электрону полупроводника я-типа необходимо совершить работу есрк. Такую же работу должны выполнить дырки для перехода из валентной зоны полупроводника р-типа в валентную зону полупроводника п-типа.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

После образования р-л-перехода и возникновения некоторол контактной разности потенциалов UK устанавливается тепловое равновесие,  при котором результирующий ток через р-п переход становится равным нулю.  Это означает что в условиях теплового равновесия вероятность прохождения носителей заряда через р-п переход в обоих направлениях становится одинаковой.  Ферми р-области WFp и n - области WFn должны расположиться в одну линию.  При этом энергетическая диаграмма р-п перехода имеет вид,  показанный на рис. 3.4,  в.  Концентрация электронов в зоне проводимости л-области оказывается выше,  так как минимальная энергия,  которой должны обладать электроны в этой зоне,  ниже,  чем в зоне проводимости р-области.  Чтобы перейти в зону проводимости полупроводника р-типа,  электрону полупроводника я-типа необходимо совершить работу есрк.  Такую же работу должны выполнить дырки для перехода из валентной зоны полупроводника р-типа в валентную зону полупроводника п-типа.