Эмиттерный переход у дрейфо вых транзисторов, как правило ступенчатый. Поскольку гранич ная концентрация доноров в ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Степаненко И.П.
Основы теории транзисторов и транзисторных схем Изд3
Эмиттерный переход у дрейфо вых транзисторов, как правило ступенчатый. Поскольку гранич ная концентрация доноров в баз Л / д ( 0) велика, концентрация акцеп торов в эмиттере должна быть ещ большей и эмиттерный переход получается очень узким. В результат при подаче на эмиттер отрицательного запирающего напряжение этот переход легко пробивается. Пробой носит туннельный характе ] ( см. § 2 - 7) и происходит при очень небольшом напряжении ( 1 - 2 в) Пробой эмиттера оказывает значительное влияние на работу многи: импульсных схем, в которых запирание транзистора является необхо димым элементом рабочего цикла. Эта важная специфика дрейфовы: транзисторов не является, однако, препятствием для применения и: в ключевых схемах, так как пробой перехода при ограничен ном токе является обратимым явлением ( как в полупроводниково. Инжекция режиме пробоя, как известно, отсутствует, и, следовательно, по кол лекторной цепи транзистор остается запертым.