Эмиттерный переход у дрейфо вых транзисторов, как правило ступенчатый. Поскольку гранич ная концентрация доноров в ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем Изд3


Эмиттерный переход у дрейфо вых транзисторов, как правило ступенчатый. Поскольку гранич ная концентрация доноров в баз Л / д ( 0) велика, концентрация акцеп торов в эмиттере должна быть ещ большей и эмиттерный переход получается очень узким. В результат при подаче на эмиттер отрицательного запирающего напряжение этот переход легко пробивается. Пробой носит туннельный характе ] ( см. § 2 - 7) и происходит при очень небольшом напряжении ( 1 - 2 в) Пробой эмиттера оказывает значительное влияние на работу многи: импульсных схем, в которых запирание транзистора является необхо димым элементом рабочего цикла. Эта важная специфика дрейфовы: транзисторов не является, однако, препятствием для применения и: в ключевых схемах, так как пробой перехода при ограничен ном токе является обратимым явлением ( как в полупроводниково. Инжекция режиме пробоя, как известно, отсутствует, и, следовательно, по кол лекторной цепи транзистор остается запертым.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

 Эмиттерный переход у дрейфо вых транзисторов,  как правило ступенчатый.  Поскольку гранич ная концентрация доноров в баз Л / д ( 0) велика,  концентрация акцеп торов в эмиттере должна быть ещ большей и эмиттерный переход получается очень узким.  В результат при подаче на эмиттер отрицательного запирающего напряжение этот переход легко пробивается.  Пробой носит туннельный характе ] ( см. § 2 - 7) и происходит при очень небольшом напряжении ( 1 - 2 в) Пробой эмиттера оказывает значительное влияние на работу многи:  импульсных схем,  в которых запирание транзистора является необхо димым элементом рабочего цикла.  Эта важная специфика дрейфовы:  транзисторов не является,  однако,  препятствием для применения и:  в ключевых схемах,  так как пробой перехода при ограничен ном токе является обратимым явлением ( как в полупроводниково.  Инжекция режиме пробоя,  как известно,  отсутствует,  и,  следовательно,  по кол лекторной цепи транзистор остается запертым.