Если свежеприготовленный азид предварительно облучают при комнатной температуре, а затем разлагают при постоянной температуре ниже ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа



Выдержка из книги Янг Д.N. Кинетика разложения твердых веществ


Если свежеприготовленный азид предварительно облучают при комнатной температуре, а затем разлагают при постоянной температуре ниже 97, то константа скорости кубического уравнения быстро увеличивается с возрастанием дозы облучения примерно до того значения, которое достигается при разложении состаренного азида, после чего продолжает медленно возрастать пропорционально приращению дозы облучения. Эффекта насыщения не наблюдалось вплоть до дозы облучения 1017 фотон - см-2, а значение t0 в кубическом уравнении непрерывно уменьшалось во всем интервале увеличения дозы облучения. Если разложение проводят при постоянной температуре ниже 97, область применимости кубического уравнения возрастает с увеличением дозы облучения. Согласно простой модели, следовало бы ожидать, что увеличение дозы облучения должно было бы вести к увеличению концентрации ядер на поверхности до значения, при котором точка перегиба а, сместилась бы вниз по кривой до значения, близкого к а - 0, a максимальная скорость в результате этого должна бы стать пропорциональной площади поверхности кристалла.

(cкачать страницу)

Смотреть книгу на libgen

Если свежеприготовленный азид предварительно облучают при комнатной температуре, а затем разлагают при постоянной температуре ниже 97, то константа скорости кубического уравнения быстро увеличивается с возрастанием дозы облучения примерно до того значения, которое достигается при разложении состаренного азида, после чего продолжает медленно возрастать пропорционально приращению дозы облучения. Эффекта насыщения не наблюдалось вплоть до дозы облучения 1017 фотон - см-2, а значение t0 в кубическом уравнении непрерывно уменьшалось во всем интервале увеличения дозы облучения. Если разложение проводят при постоянной температуре ниже 97, область применимости кубического уравнения возрастает с увеличением дозы облучения. Согласно простой модели, следовало бы ожидать, что увеличение дозы облучения должно было бы вести к увеличению концентрации ядер на поверхности до значения, при котором точка перегиба а, сместилась бы вниз по кривой до значения, близкого к а - 0, a максимальная скорость в результате этого должна бы стать пропорциональной площади поверхности кристалла.