Другой механизм наведения одноосной анизотропии имеет место при магнитном отжиге. Обнаружено, что если некоторые ферромагнитные ... - Большая Энциклопедия Нефти и Газа
Выдержка из книги
Майссела Л.N.
Технология тонких пленок Часть 2
Другой механизм наведения одноосной анизотропии имеет место при магнитном отжиге. Обнаружено, что если некоторые ферромагнитные материалы подвергнуть высокотемпературному отжигу в присутствии маг-иитного поля, то при последующем охлаждении их до низкой ( обычно комнатной) температуры в них возникает одноосная анизотропия с ЛО, направленной вдоль приложенного поля. Аналогичный результат имеет место при бомбардировке образца ядерными частицами высокой энергии в присутствии внешнего поля. Объяснение этого явления при магнитном отжиге основывается на предположении близкодействующего направленного упорядочения, вызванного перемещениями атомов в процессе отжига, иначе говоря, благодаря магнитному взаимодействию возникает преобладающая ориентация индивидуальных атомов или атомоподобных пар. Это направленное упорядочение замерзает при охлаждении образцов, создавая таким образом одноосную анизотропию.