Выдержка из книги
Герасимов В.Г.
Электротехнический справочник Т1
С и приводит к образованию зерен размером 1 мкм, что резко ухудшает качество ВТСП пленки. Поверхность образцов, полученных данным методом, близка по качеству к полупроводниковым, что делает их перспективными для создания микросхем. Поскольку тонким ВТСП пленкам свойственна химическая неустойчивость ( молекулы бария взаимодействуют с парами воды и воздуха), для повышения стабильности их покрывают слоем оксида серебра.
